相关证件: 
会员类型:
会员年限:3年
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(zui大 Rds On,zui小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(zui大值)
40 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(zui大值)
4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(zui大值)
234 nC @ 10 V
Vgs(zui大值)
?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(zui大值)
4057 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(zui大值)
300W(Tc)
工作温度
-55?C ~ 175?C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IRFP260
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)商家描述:
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)应用描述:
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET) 下单过程描述: