深圳市东城信电子有限公司

 类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）
75 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）
4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）
123 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）
?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）
2159 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（zui大值）
214W（Tc）
工作温度
-55?C ~ 175?C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IRFP250 
IRFP250NPBF商家描述：